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ALLRESIST光刻胶AR-P 672.045

2021-07-07 返回列表

  ALLRESIST光刻胶AR-P 672.045

  如果选择不同分子量的PMMA抗蚀剂获得较大的底切结构(剥离)两部分系统。 作为上层,建议使用乳酸乙酯PMMA,因为乳酸乙酯不与其他溶剂形成对比,攻击第二层。 对于下层,氯苯,茴香醚或乳酸乙酯PMMA是合适的。 两个回火步骤均在150°C下进行。建议:大底切(低分辨率):底层50K,上层200K,600K或950K。 高分辨率(底切较小):底层600K,上层950K。

  系统50K / 200K更灵敏,双层完全以1500 pC / cm2的速度显影。 相比之下,600K / 950K需要更高的剂量,即2200 pC / cm2。 随着剂量的增加,更大的底切如果使用的是50K / 200K系统,则会产生这种情况,因此预定用于复杂的提起程序。 变体600K / 950K可以用于更高的总膜厚(> 500 nm),并且是一种可靠的剥离系统,可轻松实现应用程序。 对于这些研究,始终使用AR 600-60(IPA)作为显影剂,这说明了相对较高的剂量和良好的工艺稳定性

  与AR 600-60(IPA)相比,使用AR 600-55。 IPA的发展却带来了可观的发展更高的对比度(10.5:6.6)。因此,该开发人员注定需要更高的分辨率。经验进一步显示与更快的开发人员相比,处理窗口明显更大。剂量偏差例如容忍10%,没有任何质量损失。

  在PMMA抗蚀剂的电子辐照下,主链断裂,分子质量从最初下降950 000 g / mol(950K)至5.000 – 10.000 g / mol。这种主链断裂主要是由于激进过程(请参阅下图)。在最佳剂量下,自由基会重组并形成分子量约为5000 g /摩尔但是,如果剂量急剧增加,则会产生大量自由基并发生交联从而获得具有更高分子量的分子。

ALLRESIST光刻胶AR-P 672.045

  PMMA变成负性抗蚀剂。这个效果在右图中描绘了该图,该图显示了标准工艺的等级曲线(AR-P 671.05,490膜厚30 kV,显影剂AR 600-56)。高曝光剂量会将抗蚀剂转换为负性抗蚀剂。

  -电子束,深紫外线(248 nm)

  -对玻璃,硅和金属有很好的附着力

  -50K比950K高20%

  -用于平面化和多层工艺

  -最高分辨率,高对比度

  -差异的聚(甲基丙烯酸甲酯) 分子量

  -AR-P 631-671溶剂氯苯,快速闪烁。 28°摄氏度

  -AR-P 632-672更安全的溶剂苯甲醚,闪烁p。 44°摄氏度

  -AR-P 639-679较安全的溶剂乳酸乙酯,闪烁p。 36°摄氏度

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