SEMIKRON驱动器SKHI24R
混合双驱动器一代SKHI 24正在补充SKHI 21/22，适用于所有可用的介质和高功率范围IGBT和MOSFET。可以这么说SKHI 24是一种功能兼容的进一步开发SKHI 22B。建议使用SKHI 24新设计。一般说明新一代SKHI 22A / B，SKHI 21A和24也是直接混合组件装在PCB上。
所有驱动，电压供应，错误所需的设备监测和潜在的分离被整合在一起驱动程序。为了使驾驶员适应所使用的动力模块，只需要很少的额外接线。IGBT的正向电压由a检测集成短路保护，将关闭模块超过某个阈值时。在短路或电源电压过低的情况下设置了集成错误存储器，并且出现错误信号产生。驱动器连接到受控的+ 15 V电源电压。输入信号电平为0/5 V.
集成的短脉冲抑制避免了很短的时间由功率半导体引起的开关脉冲驱动器输入端的高频干扰脉冲信号。短于500ns的开关脉冲是抑制并且不传输到IGBT。电源监控(VS)受控的15 V电源电压施加于驱动器。如果它低于13 V，监控错误和错误输出信号切换到低电平。错误监视和错误内存欠压或欠压时设置错误存储器IGBT短路。
在短路的情况下，SEMIKRON驱动器SKHI24R出错信号由VCE输入通过脉冲传输变形金刚到错误记忆。错误记忆会将所有开关脉冲锁定到IGBT并触发错误输出(P8)的驱动程序。错误输出包括开路集电极晶体管，将信号导向地如果有错误。赛米控建议用户使用提供直接连接到错误的上拉电阻评估板并使错误优质别适应所需这样的信号电压。
SEMIKRON驱动器SKHI24R开路集电极晶体管可以连接到比较大30 V / 15 mA。如果有几个SKHI 24在一个设备中使用，错误终端也可以平行。如果没有未决错误，则只能重置错误存储器并且两个周期信号输入都设置为低电平，大于或等于12μs同一时间。
